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>100V半桥驱动

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>100V半桥驱动

纳芯微的中低压半桥驱动芯片集成了高侧和低侧驱动器,可以承受100V以上的直流电压。该类型产品具有多个封装类型,小封装给高集成度系统带来了便利。该类型产品广泛应用在工业、通信、新能源汽车等不同领域的开关电源和电机控制设计中。

产品选型表

  • 驱动对象
    MOSFET
    IGBT
    GaNFET
  • 峰值驱动电流 (A)
    3/-4
  • 输出通道
    2
  • 母线电压(V)
    115
  • VCC(Max)(V)
    20
  • 传播延时(Max) ton/off(ns)
    35/35
  • 延迟匹配(ns)
    5
  • 特性
    UVLO
    Interlock
    Enable
  • 工作温度 (°C)
    -40~125
  • 产品等级
    车规级
    工业级
  • 封装
    DFN10
    SOP8

显示 2 种器件

产品名称 ECAD Model 驱动对象 峰值驱动电流 (A) 输出通道 母线电压(V) VCC(Max)(V) 传播延时(Max) ton/off(ns) 延迟匹配(ns) 特性 工作温度 (°C) 产品等级 封装
NSD1224LA-DAFR
MOSFET/GaNFET
3/-4
2
115
20
35/35
5
UVLO, Interlock, Enable
-40~125
工业级
DFN10
NSD1224LA-DSPR
MOSFET/GaNFET
3/-4
2
115
20
35/35
5
UVLO, Interlock
-40~125
工业级
SOP8

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