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GaN功率芯片与驱动

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GaN功率芯片与驱动

和传统的Si器件相比,GaN HEMT具有更高的开关频率与更小的开关损耗,在快充、数据中心、光伏、储能、电动汽车等市场都有着广阔的应用场景。然而,GaN HEMT 栅源耐压范围较窄、开启阈值也很低,对驱动回路的干扰与噪声会比较敏感,并且高频开关下的dv/dt容易产生共模干扰问题,对驱动IC提出了更高的要求。纳芯微推出GaN HEMT专用驱动IC和功率芯片产品,具有高可靠性、高共模瞬变抗扰度(CMTI)、低传输延时等特点,助力于充分发挥GaN HEMT的性能优势。

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