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GaN功率芯片

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GaN功率芯片

纳芯微推出的GaN功率芯片,内部集成了GaN HEMT和专用驱动器,降低了驱动和功率回路杂散电感的影响,有利于实现GaN HEMT的安全、可靠工作,同时简化了外围电路设计和布板面积,从而最大限度地提升效率和功率密度。

产品选型表

  • 产品类型
    半桥
  • 母线电压(V)
    700
  • 导通电阻(mΩ)
    150
  • 导通电流(A)
    20
  • 工作温度(°C)
    -40~125
  • 产品等级
    工业级
  • 封装
    QFN32

显示 1 种器件

产品名称 产品类型 母线电压(V) 导通电阻(mΩ) 导通电流(A) 特性 工作温度(°C) 产品等级 封装
NSG65N15K-DQAFR
半桥
700
150
20
UVLO、可调死区时间、集成自举二极管
-40~125
工业级
QFN32

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