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纳芯微发布首款1200V SiC MOSFET,为高效、可靠能源变换再添助力!

2024/04/22

纳芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列产品,该产品RDSon为60mΩ,具有通孔式TO-247-4L与表面贴装TO-263-7L两种封装形式,可提供车规与工规两种等级。


纳芯微的碳化硅MOSFET具有卓越的RDSon温度稳定性、门极驱动电压覆盖度更宽、具备高可靠性,适用于电动汽车(EV) OBC/DCDC、热管理系统、光伏和储能系统(ESS)以及不间断电源(UPS)等领域。


NPC060N120A产品特性

- 更宽的栅极驱动电压范围(-8~22V)

  • 支持+15V,+18V驱动模式(可实现IGBT兼容:+15 V)

  • +18V模式下,RDSon可降低20%

- 更好的RDSon温度稳定性

- 出色的阈值电压一致性

  • Vth在25°C~175°C 的范围保持在2.0V~2.8V之间

- 体二极管正向压降非常低且稳健性高

- 100%的雪崩测试,从而提高整体的可靠性,抗冲击能力强


此外,功率产品开发中可靠性验证与质量控制是纳芯微非常重视环节之一。为了提供给客户更可靠的碳化硅MOSFET产品,在碳化硅芯片生产过程中施行严格的质量控制,所有碳化硅产品做到 100% 静态电参数测试,100%抗雪崩能力测试。此外,会执行比AEC-Q101更加严格的测试条件来执行产品可靠性验证,如下图:

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以执行较为严苛的HV-H3TRB为例,在可靠性1000小时测试后,该款产品仍具有比较优异的稳定性。

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NPC060N120A产品选型表

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纳芯微SiC MOSFET命名规则

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未来,纳芯微将持续扩大产品阵容,推出更多规格产品供客户选择。


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