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GaN半桥驱动

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GaN半桥驱动

纳芯微专为E-mode GaN设计的半桥驱动芯片,可用于直接驱动E-mode GaN,无需电阻、电容、稳压管等外围电路,简化了系统设计,并且具有高可靠性、高共模抗扰度、低传输延时的特性,适用于各类高频、高功率密度的GaN应用场景。

产品选型表

  • 驱动对象
    GaNFET
  • 峰值驱动电流 (A)
    2/-4
  • 输出通道
    2
  • 母线电压(V)
    700
  • VCC(Max)(V)
    24
  • 传播延时(Max) ton/off(ns)
    60/60
  • 延迟匹配(ns)
    10
  • 工作温度 (°C)
    -40~125
  • 产品等级
    工业级
    车规级
  • 封装
    QFN15

显示 2 种器件

产品名称 驱动对象 峰值驱动电流 (A) 输出通道 母线电压(V) VCC(Max)(V) 传播延时(Max) ton/off(ns) 延迟匹配(ns) 特性 工作温度 (°C) 产品等级 封装
NSD2621A-DQAGR
GaNFET
2/-4
2
700
24
60/60
10
UVLO, Programmable dead time, Enable, 内置LDO
-40~125
工业级
QFN15
NSD2621C-DQAGR
GaNFET
2/-4
2
700
24
60/60
10
UVLO, Programmable dead time, Enable, 内置LDO
-40~125
工业级
QFN15

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